Tootja Toote Number:
FQAF12N60
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQAF12N60-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 7.8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventuur:
12849595
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQAF12N60 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7.8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
700mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
100W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3PF
Pakett / ümbris
TO-3P-3 Full Pack
Põhitoote number
FQAF1
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BUZ11-NR4941
MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
FDPF2710T
MOSFET N-CH 250V 25A TO220F
FDD10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
