Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FQAF19N60
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQAF19N60-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 11.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12849600
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQAF19N60 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
11.2A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
120W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3PF
Pakett / ümbris
TO-3P-3 Full Pack
Põhitoote number
FQAF1
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
FQAF19N60
HTML andmeleht
FQAF19N60-DG
Lisainfo
Standardpakett
360
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STP11NM60
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
324
DiGi OSANUMBER
STP11NM60-DG
ÜHIKPRICE
1.75
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
APT6038BFLLG
TOOTJA
Microchip Technology
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
APT6038BFLLG-DG
ÜHIKPRICE
10.00
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
APT6038BLLG
TOOTJA
Microchip Technology
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
APT6038BLLG-DG
ÜHIKPRICE
9.72
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOW12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
AON6912ALS
MOSFET N-CH
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
AONR32320
MOSFET