FDD10AN06A0

Tootja Toote Number:

FDD10AN06A0

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDD10AN06A0-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventuur:

2544 tk Uus Originaal Laos

12849599

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDD10AN06A0 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

11A (Ta), 50A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

6V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

10.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

37 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1840 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

135W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-252AA

Pakett / ümbris

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Põhitoote number

FDD10AN06

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Muud nimed

FDD10AN06A0CT

FDD10AN06A0DKR

ONSONSFDD10AN06A0

FDD10AN06A0-DG

FDD10AN06A0TR

2156-FDD10AN06A0-OS

Standardpakett

2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQAF19N60

MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF

alpha-and-omega-semiconductor

AOW12N65

MOSFET N-CH 650V 12A TO262

AON6912ALS

MOSFET N-CH

onsemi

FCP22N60N

MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3