Tootja Toote Number:
EMF20T2R
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
EMF20T2R-DG
Kirjeldus:
TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 150MA/
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventuur:
12995495
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
EMF20T2R Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA, 150mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
47kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
47kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA, 100nA (ICBO)
Sagedus - üleminek
250MHz, 180MHz
Võimsus - Max
150mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-563, SOT-666
Tarnija seadme pakett
EMT6
Põhitoote number
EMF20
Lisainfo
Muud nimed
846-EMF20T2RTR
Standardpakett
8,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
REACH-i staatus
REACH Unaffected
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
EMF23T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
EMF7T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN 12V 500MA/
EMB18T2R
TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
