Tootja Toote Number:
EMB18T2R
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
EMB18T2R-DG
Kirjeldus:
TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventuur:
12995534
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
EMB18T2R Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
22kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
-
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA (ICBO)
Sagedus - üleminek
250MHz
Võimsus - Max
150mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-563, SOT-666
Tarnija seadme pakett
EMT6
Põhitoote number
EMB18
Lisainfo
Muud nimed
846-EMB18T2RTR
Standardpakett
8,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
REACH-i staatus
REACH Unaffected
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RN4905,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
RN4984,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
RN4991FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10