Tootja Toote Number:
NTH4L040N65S3F
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTH4L040N65S3F-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 65A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventuur:
340 tk Uus Originaal Laos
12856687
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTH4L040N65S3F Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
FRFET®, SuperFET® III
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
65A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
158 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
5940 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
446W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247-4L
Pakett / ümbris
TO-247-4
Põhitoote number
NTH4L040
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
1990-NTH4L040N65S3F
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
NTH4L040N65S3F
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
340
DiGi OSANUMBER
NTH4L040N65S3F-DG
ÜHIKPRICE
11.05
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
STD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NDS7002A_NB9GGTXA
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
NTP60N06G
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB