Tootja Toote Number:
NDD03N60Z-1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NDD03N60Z-1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 61W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventuur:
12841025
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NDD03N60Z-1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2.6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
312 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
61W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
NDD03
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
ONSONSNDD03N60Z-1G
2156-NDD03N60Z-1G-ON
NDD03N60Z-1G-DG
NDD03N60Z1G
NDD03N60Z-1GOS
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STU3N80K5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
87
DiGi OSANUMBER
STU3N80K5-DG
ÜHIKPRICE
0.52
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NVMFS5C612NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
MTB30P06VT4
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
FQPF3N80CYDTU
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
