Tootja Toote Number:
NVMFS5C612NLAFT1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NVMFS5C612NLAFT1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 38A (Ta), 250A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventuur:
12841028
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
a08Y
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NVMFS5C612NLAFT1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
38A (Ta), 250A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.36mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6660 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN, 5 Leads
Põhitoote number
NVMFS5
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
488-NVMFS5C612NLAFT1GTR
488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR
NVMFS5C612NLAFT1G-DG
488-NVMFS5C612NLAFT1GCT
Standardpakett
1,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
MTB30P06VT4
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
FQPF3N80CYDTU
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
NTB5412NT4G
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
