Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
HUFA76639P3
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
HUFA76639P3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 51A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12837584
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
HUFA76639P3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
UltraFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
51A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
VGS (max)
±16V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
180W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
HUFA76
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HUFA76639P3
HTML andmeleht
HUFA76639P3-DG
Lisainfo
Standardpakett
400
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STP30N10F7
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
889
DiGi OSANUMBER
STP30N10F7-DG
ÜHIKPRICE
0.86
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP40NF10L
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
787
DiGi OSANUMBER
STP40NF10L-DG
ÜHIKPRICE
1.14
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
AOT2910L
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
AOT2910L-DG
ÜHIKPRICE
0.49
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTP75N10P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
36
DiGi OSANUMBER
IXTP75N10P-DG
ÜHIKPRICE
2.14
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDD068AN03L
MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
FDMS8350LET40
MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
FQB17N08TM
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
HUFA76432S3ST
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK