FQB17N08TM

Tootja Toote Number:

FQB17N08TM

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQB17N08TM-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 80 V 16.5A (Tc) 3.13W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12837588

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQB17N08TM Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

80 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

16.5A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

115mOhm @ 8.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

VGS (max)

±25V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

450 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

3.13W (Ta), 65W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-263 (D2PAK)

Pakett / ümbris

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Põhitoote number

FQB1

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

800

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

HUFA76432S3ST

MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK

onsemi

FQB6N70TM

MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK

onsemi

FQP3N60C

MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3

onsemi

HUFA75429D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK