Tootja Toote Number:
FQPF2N80YDTU
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQPF2N80YDTU-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventuur:
2144 tk Uus Originaal Laos
12848344
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQPF2N80YDTU Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
35W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Põhitoote number
FQPF2
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
FQPF2N80
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
987
DiGi OSANUMBER
FQPF2N80-DG
ÜHIKPRICE
0.66
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
IRFIBE20GPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
37
DiGi OSANUMBER
IRFIBE20GPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.13
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BUK963R3-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
FQP34N20
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
