FQPF2N80

Tootja Toote Number:

FQPF2N80

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQPF2N80-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventuur:

987 tk Uus Originaal Laos

12837952

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQPF2N80 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tube

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

800 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

1.5A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

6.3Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

550 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

35W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220F-3

Pakett / ümbris

TO-220-3 Full Pack

Põhitoote number

FQPF2

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

488-FQPF2N80

Standardpakett

1,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

Not Applicable

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

onsemi

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS

FDZ7064N

MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA

onsemi

HUF76429S3ST

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK