Tootja Toote Number:
FQP9N90C
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQP9N90C-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
194 tk Uus Originaal Laos
12836538
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQP9N90C Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
QFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
900 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
205W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FQP9
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
FAIFSCFQP9N90C
FQP9N90COS
FQP9N90C-DG
FQP9N90CFS-DG
2156-FQP9N90C-OS
FQP9N90CFS
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQA13N50CF_F109
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
FDD6796
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
FDN5630
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
