Tootja Toote Number:
FDN5630
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDN5630-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventuur:
5620 tk Uus Originaal Laos
12836551
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDN5630 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
400 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-23-3
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
FDN563
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
FDN5630CT
FDN5630_F095CT-DG
FDN5630TR
ONSONSFDN5630
FDN5630_F095TR
FDN5630_F095TR-DG
FDN5630_F095DKR-DG
FDN5630_F095
FDN5630_F095DKR
FDN5630_F095CT
FDN5630DKR
2156-FDN5630-OS
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRLR110ATF
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
FQA44N10
MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
