Tootja Toote Number:
FQP1N50
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQP1N50-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 1.4A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 1.4A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
12838402
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQP1N50 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
40W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FQP1
Lisainfo
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS0302S
MOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFN
FCU600N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
FQD3N50CTF
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
