Tootja Toote Number:
FCU600N65S3R0
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCU600N65S3R0-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK
Inventuur:
441 tk Uus Originaal Laos
12838412
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCU600N65S3R0 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
SuperFET® III
Toote olek
Last Time Buy
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
465 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
54W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
IPAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Põhitoote number
FCU600
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-DG
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXTU8N70X2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
64
DiGi OSANUMBER
IXTU8N70X2-DG
ÜHIKPRICE
1.71
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQD3N50CTF
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
FQB10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
FQU13N06LTU
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK