FQI47P06TU

Tootja Toote Number:

FQI47P06TU

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQI47P06TU-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12848516

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQI47P06TU Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

47A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

26mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

110 nC @ 10 V

VGS (max)

±25V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

3600 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

3.75W (Ta), 160W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-262 (I2PAK)

Pakett / ümbris

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Põhitoote number

FQI4

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

1,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NTHS4501NT1

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

onsemi

FDB8132_F085

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

onsemi

FDP39N20

MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3

onsemi

FQE10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3