Tootja Toote Number:
FDB8132_F085
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDB8132_F085-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 341W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12848522
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDB8132_F085 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
350 nC @ 13 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
14100 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
341W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FDB813
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
FDB8132_F085TR
FDB8132_F085DKR
FDB8132_F085CT
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
BUK761R6-40E,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
BUK761R6-40E,118-DG
ÜHIKPRICE
1.66
ASENDAMISE TüÜP
Direct
Osa number
PSMN1R5-30BLEJ
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
9771
DiGi OSANUMBER
PSMN1R5-30BLEJ-DG
ÜHIKPRICE
2.01
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDP39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
FQE10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
FQP5N80
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3
