Tootja Toote Number:
FQD6P25TF
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQD6P25TF-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 250 V 4.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12847812
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQD6P25TF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4.7A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
780 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FQD6
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
2,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDB8444-F085
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
FQA11N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
FDPF14N30
MOSFET N-CH 300V 14A TO220F
