Tootja Toote Number:
FQA11N90C-F109
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQA11N90C-F109-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventuur:
12847816
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQA11N90C-F109 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
900 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3P
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
FQA11
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
FQA11N90CF109
2156-FQA11N90C-F109-OS
FQA11N90C_F109-DG
ONSFSCFQA11N90C-F109
FQA11N90C_F109
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDPF14N30
MOSFET N-CH 300V 14A TO220F
NVMFS5C680NLT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF10N60CT
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
