FQD3P50TF

Tootja Toote Number:

FQD3P50TF

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQD3P50TF-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12847187

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQD3P50TF Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

500 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

2.1A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

4.9Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

23 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

660 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-252AA

Pakett / ümbris

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Põhitoote number

FQD3

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

2,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

FQD3P50TM

TOOTJA

onsemi

KOGUS SAADAVAL

0

DiGi OSANUMBER

FQD3P50TM-DG

ÜHIKPRICE

0.50

ASENDAMISE TüÜP

Parametric Equivalent

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQAF17P10

MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF

onsemi

FQA70N10

MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN

onsemi

NTD4959N-35G

MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK

onsemi

FDB86563-F085

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK