Tootja Toote Number:
NTD4959N-35G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTD4959N-35G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventuur:
12847193
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTD4959N-35G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9A (Ta), 58A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 11.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
25 nC @ 11.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Põhitoote number
NTD49
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPD30N03S4L09ATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
48073
DiGi OSANUMBER
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.31
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
DMN3010LK3-13
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
1639
DiGi OSANUMBER
DMN3010LK3-13-DG
ÜHIKPRICE
0.19
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FDD8880
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
13967
DiGi OSANUMBER
FDD8880-DG
ÜHIKPRICE
0.27
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDB86563-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
FDBL86561-F085
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
FDMC8854
MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
