Tootja Toote Number:
FQB25N33TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQB25N33TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 330 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
12838129
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQB25N33TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
330 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
230mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
75 nC @ 15 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2010 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FQB2
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
FQB25N33TMCT
FQB25N33TMTR
FQB25N33TMDKR
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF540NSTRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
7309
DiGi OSANUMBER
IRF540NSTRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.52
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF644STRLPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IRF644STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.53
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AUIRLS4030TRL
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
FDPF17N60NT
MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
FDP050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
