FDP050AN06A0

Tootja Toote Number:

FDP050AN06A0

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDP050AN06A0-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

6627 tk Uus Originaal Laos

12838136

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDP050AN06A0 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tube

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

18A (Ta), 80A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

6V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

80 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

3900 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

245W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220-3

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

FDP050

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

FDB050AN06A0, FDP050AN06A0

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

FDP050AN06A0-DG

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

Not Applicable

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

infineon-technologies

AUIRFS3004TRL

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3

onsemi

FQP32N12V2

MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3

onsemi

FCB110N65F

MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

onsemi

FDP7N60NZ

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3