Tootja Toote Number:
FQA55N25
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQA55N25-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventuur:
12850221
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQA55N25 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
40mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6250 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
310W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3PN
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
FQA55
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXTQ86N25T
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXTQ86N25T-DG
ÜHIKPRICE
4.53
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTQ64N25P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXTQ64N25P-DG
ÜHIKPRICE
4.25
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
NTHL041N60S5H
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
166
DiGi OSANUMBER
NTHL041N60S5H-DG
ÜHIKPRICE
5.17
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AO4421L
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SO
HUF76445S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
FQA90N10V2
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
