Tootja Toote Number:
IXTQ64N25P
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTQ64N25P-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventuur:
12820734
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTQ64N25P Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
Polar
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
64A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
400W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3P
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
IXTQ64
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
Q2310188
IXTQ64N25P-NDR
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STW52NK25Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
444
DiGi OSANUMBER
STW52NK25Z-DG
ÜHIKPRICE
3.37
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFP4768PBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
2632
DiGi OSANUMBER
IRFP4768PBF-DG
ÜHIKPRICE
3.59
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTA36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
IXFR25N90
MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
IXTU64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO251
