Tootja Toote Number:
FQA38N30
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQA38N30-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 300 V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventuur:
12836661
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQA38N30 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
300 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
38.4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
85mOhm @ 19.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
290W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3P
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
FQA3
Lisainfo
Muud nimed
2166-FQA38N30-488
2832-FQA38N30
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQP6N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
HUFA75321S3ST
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
FQD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
