Tootja Toote Number:
FQD6N25TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FQD6N25TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12836669
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FQD6N25TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
QFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4.4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
300 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FQD6N25
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FQD6N25TMFSCT
FQD6N25TMFSTR
FQD6N25TMFSDKR
FQD6N25TM-DG
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFR224TRPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
2100
DiGi OSANUMBER
IRFR224TRPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.56
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFR224TRLPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IRFR224TRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.59
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FCD4N60TM
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
10613
DiGi OSANUMBER
FCD4N60TM-DG
ÜHIKPRICE
0.61
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
