Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FDS9412
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS9412-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 7.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12847097
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS9412 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7.9A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
830 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
FDS94
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
FDS9412
HTML andmeleht
FDS9412-DG
Lisainfo
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DMG4496SSSQ-13
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
DMG4496SSSQ-13-DG
ÜHIKPRICE
0.14
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FDS8884
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
7218
DiGi OSANUMBER
FDS8884-DG
ÜHIKPRICE
0.19
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STS10N3LH5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
4575
DiGi OSANUMBER
STS10N3LH5-DG
ÜHIKPRICE
0.40
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
NTTFS4C65NTWG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK