Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FDMS4D0N12C
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDMS4D0N12C-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventuur:
4063 tk Uus Originaal Laos
12847102
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDMS4D0N12C Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
120 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 370A
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6460 pF @ 60 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-PQFN (5x6)
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Põhitoote number
FDMS4
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FDMS4D0N12C
Tehnilised lehed
FDMS4D0N12C
HTML andmeleht
FDMS4D0N12C-DG
Lisainfo
Muud nimed
FDMS4D0N12COSDKR
FDMS4D0N12C-DG
FDMS4D0N12COSTR
FDMS4D0N12COSCT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AON2407
MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
NTD4858N-35G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
FCPF4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F