Tootja Toote Number:
FDS6679Z
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDS6679Z-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
12836840
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDS6679Z Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
VGS (max)
+20V, -25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3803 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
FDS66
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQD2N100TF
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
3LP01C-TB-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
FQA13N50C
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
