Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
3LP01C-TB-E
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
3LP01C-TB-E-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-59-3/CP3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12836845
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
3LP01C-TB-E Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
100mA (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
1.5V, 4V
Rds sees (max) @ id, vgs
10.4Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
1.43 nC @ 10 V
VGS (max)
±10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
7.5 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
250mW (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SC-59-3/CP3
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
3LP01
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
3LP01C-TB-E
HTML andmeleht
3LP01C-TB-E-DG
Lisainfo
Muud nimed
2156-3LP01C-TB-E-ONTR-DG
ONSONS3LP01C-TB-E
2156-3LP01C-TB-E
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQA13N50C
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
FDPF5N50UT
MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
FDB050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK