FDMT800100DC

Tootja Toote Number:

FDMT800100DC

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDMT800100DC-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 24A (Ta), 162A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

Inventuur:

5043 tk Uus Originaal Laos

12849547

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDMT800100DC Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

Dual Cool™, PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

24A (Ta), 162A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

6V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

2.95mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

111 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

7835 pF @ 50 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

3.2W (Ta), 156W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-Dual Cool™88

Pakett / ümbris

8-PowerVDFN

Põhitoote number

FDMT800100

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

FDMT800100DC-DG

Lisainfo

Muud nimed

FDMT800100DCTR

FDMT800100DCDKR

FDMT800100DCCT

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDPF320N06L

MOSFET N-CH 60V 21A TO220F

onsemi

FDD5680

MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252

alpha-and-omega-semiconductor

AON7532E

MOSFET N-CH 30V 30.5A/28A 8DFN

onsemi

FCA20N60-F109

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN