FDD5680

Tootja Toote Number:

FDD5680

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDD5680-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 8.5A (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventuur:

2511 tk Uus Originaal Laos

12849552

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDD5680 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

8.5A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

6V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

21mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1835 pF @ 30 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.8W (Ta), 60W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-252AA

Pakett / ümbris

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Põhitoote number

FDD568

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDD5680CT

FDD5680DKR

FDD5680-DG

FDD5680TR

Standardpakett

2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

alpha-and-omega-semiconductor

AON7532E

MOSFET N-CH 30V 30.5A/28A 8DFN

onsemi

FCA20N60-F109

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

alpha-and-omega-semiconductor

AOD456A

MOSFET N-CH 25V 50A TO252

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1700

MOSFET N-CH 30V 17A/85A ULTRASO8