Tootja Toote Number:
FDD8876
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDD8876-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 73A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
8387 tk Uus Originaal Laos
12849524
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDD8876 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
15A (Ta), 73A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
8.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1700 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
70W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FDD887
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
FDD8876-DG
FDD8876DKR
FDD8876CT
FDD8876TR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPD30N03S4L09ATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
48073
DiGi OSANUMBER
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.31
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPD090N03LGATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
94138
DiGi OSANUMBER
IPD090N03LGATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.23
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
AOT12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
FDD9407_SN00283
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
