Tootja Toote Number:
IPD090N03LGATMA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPD090N03LGATMA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventuur:
94138 tk Uus Originaal Laos
12801029
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPD090N03LGATMA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
OptiMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1600 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
42W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PG-TO252-3-11
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
IPD090
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGXT
IPD090N03LGINDKR
IPD090N03LGINDKR-DG
IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINTR-DG
IPD090N03LGINCT-DG
IPD090N03LGATMA1TR
INFINFIPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1DKR
2156-IPD090N03LGATMA1
IPD090N03L G
IPD090N03LGINTR
SP000680636
IPD090N03LG
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4