Tootja Toote Number:
FDD8782
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDD8782-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12850713
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDD8782 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
25 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1220 pF @ 13 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
50W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FDD878
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
FDD8782TR
FDD8782DKR
FDD8782CT
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPD090N03LGATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
94138
DiGi OSANUMBER
IPD090N03LGATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.23
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDH15N50
MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
FDD5810
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
FDMS7670AS
MOSFET N-CH 30V 22A/42A 8PQFN
