Tootja Toote Number:
FDD6N25TF
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDD6N25TF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12846297
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDD6N25TF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
UniFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4.4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
50W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FDD6
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
FDD6N25TFDKR
FDD6N25TFTR
FDD6N25TFCT
Standardpakett
2,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF624SPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
1814
DiGi OSANUMBER
IRF624SPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.81
ASENDAMISE TüÜP
Direct
Osa number
IRFR220NTRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
19780
DiGi OSANUMBER
IRFR220NTRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.29
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFR220NTRPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
16111
DiGi OSANUMBER
IRFR220NTRPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.29
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HUFA75639G3
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
AOT15S65L
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
FDMC86160ET100
MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
