Tootja Toote Number:
HUFA75639G3
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
HUFA75639G3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventuur:
12846298
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
HUFA75639G3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
UltraFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
56A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
200W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247-3
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
HUFA75
Lisainfo
Standardpakett
150
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
HUF75639G3
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
415
DiGi OSANUMBER
HUF75639G3-DG
ÜHIKPRICE
1.49
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOT15S65L
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
FDMC86160ET100
MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
FDN5632N-F085
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
