Tootja Toote Number:

FDC8886

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FDC8886-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventuur:

11945 tk Uus Originaal Laos

12836294

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FDC8886 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

PowerTrench®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

6.5A (Ta), 8A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

7.4 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

465 pF @ 15 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.6W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SuperSOT™-6

Pakett / ümbris

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Põhitoote number

FDC8886

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FDC8886CT

FDC8886DKR

FDC8886TR

FDC8886-DG

2156-FDC8886-OS

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

HUF76639P3

MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3

onsemi

ATP108-TL-H

MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK

onsemi

IRFU220_R4941

MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK

onsemi

2SK4094-1E

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3