Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
ATP108-TL-H
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
ATP108-TL-H-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 40 V 70A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12836306
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
ATP108-TL-H Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
40 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
70A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
10.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
79.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3850 pF @ 20 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
60W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
ATPAK
Pakett / ümbris
ATPAK (2 Leads+Tab)
Põhitoote number
ATP108
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
ATP108-TL-H
HTML andmeleht
ATP108-TL-H-DG
Lisainfo
Muud nimed
869-1076-2
ATP108-SPL
869-1076-1
ATP108TLH
2156-ATP108-TL-H-OS
ATP108-TL-HOSTR
869-1076-6
ATP108-TL-HOSDKR
869-1076-6-DG
ATP108-TL-HOSCT
869-1076-2-DG
869-1076-1-DG
ONSONSATP108-TL-H
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
NP50P04SDG-E1-AY
TOOTJA
Renesas Electronics Corporation
KOGUS SAADAVAL
3924
DiGi OSANUMBER
NP50P04SDG-E1-AY-DG
ÜHIKPRICE
0.93
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPD50P04P4L11ATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
19
DiGi OSANUMBER
IPD50P04P4L11ATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.47
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
2000
DiGi OSANUMBER
TJ40S04M3L(T6L1,NQ-DG
ÜHIKPRICE
0.58
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRFU220_R4941
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
2SK4094-1E
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
2SK4210
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK