Tootja Toote Number:
FDB12N50TM
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDB12N50TM-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
1 tk Uus Originaal Laos
12921893
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDB12N50TM Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
UniFET™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1315 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
165W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
FDB12N50
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXFA12N50P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
298
DiGi OSANUMBER
IXFA12N50P-DG
ÜHIKPRICE
1.82
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTA12N50P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
24
DiGi OSANUMBER
IXTA12N50P-DG
ÜHIKPRICE
1.71
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
