Tootja Toote Number:
NTB5605P
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTB5605P-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventuur:
12921914
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTB5605P Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
18.5A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
5V
Rds sees (max) @ id, vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1190 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
88W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
D2PAK
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
NTB56
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SPB18P06PGATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
2030
DiGi OSANUMBER
SPB18P06PGATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.44
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF5210STRLPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
7933
DiGi OSANUMBER
IRF5210STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.26
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
RSJ250P10TL
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
1434
DiGi OSANUMBER
RSJ250P10TL-DG
ÜHIKPRICE
1.21
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FQP27N25
MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
BSS138LT7G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FQA170N06
MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
