Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
FCP110N65F
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCP110N65F-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventuur:
800 tk Uus Originaal Laos
12850590
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCP110N65F Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tube
Seeria
FRFET®, SuperFET® II
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.5mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4895 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
357W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
FCP110
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
FCP110N65F
Tehnilised lehed
FCP110N65F
HTML andmeleht
FCP110N65F-DG
Lisainfo
Muud nimed
FCP110N65FOS
FCP110N65F-DG
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STP30N65M5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
5189
DiGi OSANUMBER
STP30N65M5-DG
ÜHIKPRICE
3.17
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FCH110N65F-F155
TOOTJA
Fairchild Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
69
DiGi OSANUMBER
FCH110N65F-F155-DG
ÜHIKPRICE
4.26
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
Osa number
STP40N65M2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
37
DiGi OSANUMBER
STP40N65M2-DG
ÜHIKPRICE
2.57
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP35N60DM2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
STP35N60DM2-DG
ÜHIKPRICE
2.54
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
R6004END3TL1
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
FQH18N50V2
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
FDMC8622
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
FDU3706
MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK