Tootja Toote Number:
FDU3706
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FDU3706-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 20 V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventuur:
12850597
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FDU3706 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
PowerTrench®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
14.7A (Ta), 50A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
2.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
9mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1882 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.8W (Ta), 44W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I-PAK
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
FDU37
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
R6006JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
