Tootja Toote Number:
FCD260N65S3
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
FCD260N65S3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
12838965
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
FCD260N65S3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
SuperFET® III
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
260mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.2mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1010 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
90W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
FCD260
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
488-FCD260N65S3CT
488-FCD260N65S3DKR
FCD260N65S3-DG
488-FCD260N65S3TR
2156-FCD260N65S3-488
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDP34N33
MOSFET N-CH 330V TO220-3
FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
FQH90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO247-3
