FQB8N90CTM

Tootja Toote Number:

FQB8N90CTM

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

FQB8N90CTM-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12838968

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

FQB8N90CTM Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

QFET®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

900 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

6.3A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

1.9Ohm @ 3.15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

45 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2080 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

171W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-263 (D2PAK)

Pakett / ümbris

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Põhitoote number

FQB8N90

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

FQB8N90CTMTR

FQB8N90CTMDKR

FQB8N90CTMCT

Standardpakett

800

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FQH90N15

MOSFET N-CH 150V 90A TO247-3

onsemi

FQPF6N70

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F

onsemi

ECH8320-TL-H

MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH

onsemi

FDS2070N7

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO