2SK4066-1E

Tootja Toote Number:

2SK4066-1E

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

2SK4066-1E-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 100A TO262-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12836227

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

2SK4066-1E Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

60 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

100A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

220 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

12500 pF @ 20 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

1.65W (Ta), 90W (Tc)

Töötemperatuur

150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-262-3

Pakett / ümbris

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Põhitoote number

2SK4066

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Muud nimed

ONSONS2SK4066-1E

2156-2SK4066-1E-ON

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

FDP050AN06A0

TOOTJA

onsemi

KOGUS SAADAVAL

6627

DiGi OSANUMBER

FDP050AN06A0-DG

ÜHIKPRICE

1.14

ASENDAMISE TüÜP

Similar

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

FDD3682-F085

MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA

onsemi

FQPF9N30

MOSFET N-CH 300V 6A TO220F

onsemi

FDP5645

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

onsemi

FDS6298

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC