Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXTP4N70X2M
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTP4N70X2M-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventuur:
24 tk Uus Originaal Laos
12820827
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTP4N70X2M Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
Ultra X2
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
700 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
386 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
30W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220 Isolated Tab
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Põhitoote number
IXTP4
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
IXTP4N70X2M
HTML andmeleht
IXTP4N70X2M-DG
Andmelehed
IXTP4N70X2M
Building, Home Automation Appl Guide
Lisainfo
Muud nimed
IXTP4N70X2M-DG
-1402-IXTP4N70X2M
238-IXTP4N70X2M
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
TK6A60W,S4VX
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
45
DiGi OSANUMBER
TK6A60W,S4VX-DG
ÜHIKPRICE
0.84
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STP10NK60ZFP
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
1027
DiGi OSANUMBER
STP10NK60ZFP-DG
ÜHIKPRICE
1.49
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
TK7A60W5,S5VX
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
80
DiGi OSANUMBER
TK7A60W5,S5VX-DG
ÜHIKPRICE
0.62
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
R6007ENX
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
129
DiGi OSANUMBER
R6007ENX-DG
ÜHIKPRICE
0.92
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPA70R750P7SXKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
76
DiGi OSANUMBER
IPA70R750P7SXKSA1-DG
ÜHIKPRICE
0.71
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFH14N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
IXFP24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
IXFT58N20
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
IXFH28N50Q
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD