IXFT58N20

Tootja Toote Number:

IXFT58N20

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFT58N20-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 58A TO268

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12820833

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXFT58N20 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

-

Seeria

HiPerFET™

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

58A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

40mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

220 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

4400 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

300W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-268AA

Pakett / ümbris

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Põhitoote number

IXFT58

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IXF(H,M,T)(42,50,58)N20

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXFH28N50Q

MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

littelfuse

IXTH41N25

MOSFET N-CH 250V 41A TO247

littelfuse

IXTR62N15P

MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247

littelfuse

IXFL38N100P

MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK